Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 67 A 100 V P, 3 Ben, TO-252, IPD Nej IPD12CN10NGATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 28,66

(ekskl. moms)

Kr. 35,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.474 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 14,33Kr. 28,66
20 - 48Kr. 12,34Kr. 24,68
50 - 98Kr. 11,595Kr. 23,19
100 - 198Kr. 10,77Kr. 21,54
200 +Kr. 9,91Kr. 19,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3835
Producentens varenummer:
IPD12CN10NGATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

67A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12.4mΩ

Kanalform

P

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS Power MOSFET'er giver fremragende løsninger til høj effektivitet, SMPS med høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår denne serie en reduktion på 30 % i både R DS(on) og FOM

Fremragende skifteydelse

Verdens laveste R DS(on)

Miljøvenlig

Øget effektivitet

Højeste effekttæthed

Relaterede links