Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 67 A 100 V P, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 258-3835P
- Producentens varenummer:
- IPD12CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 179,50
(ekskl. moms)
Kr. 224,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.458 enhed(er) afsendes fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 8,975 |
| 50 - 98 | Kr. 8,49 |
| 100 - 198 | Kr. 7,855 |
| 200 + | Kr. 7,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3835P
- Producentens varenummer:
- IPD12CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.4mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.4mΩ | ||
Kanalform P | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS Power MOSFET'er giver fremragende løsninger til høj effektivitet, SMPS med høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår denne serie en reduktion på 30 % i både R DS(on) og FOM
Fremragende skifteydelse
Verdens laveste R DS(on)
Miljøvenlig
Øget effektivitet
Højeste effekttæthed