Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 300,70

(ekskl. moms)

Kr. 375,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.224 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
20 - 48Kr. 15,035
50 - 98Kr. 14,135
100 - 198Kr. 13,055
200 +Kr. 12,155

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3869P
Producentens varenummer:
IPD90P04P405ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-90A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1, RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.