Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 73 A 100 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 258-3892
- Producentens varenummer:
- IPP083N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 258-3892
- Producentens varenummer:
- IPP083N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 73A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 73A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 industrielle effekt-MOSFET-enheder i 80 V og 100 V er designet til synkron ensretning i telekommunikation og server strømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og bærbar computeradapter.
Velegnet til høj skiftefrekvens
Reduktion af udgangskapacitet på op til 44 %
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Lavspændingsoverskridelse