Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 258-3896
- Producentens varenummer:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.752,20
(ekskl. moms)
Kr. 2.190,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 17. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 35,044 | Kr. 1.752,20 |
| 100 - 100 | Kr. 32,241 | Kr. 1.612,05 |
| 150 + | Kr. 30,487 | Kr. 1.524,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3896
- Producentens varenummer:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 227W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 102nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 227W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 102nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V CoolMOS CFD7 super junction MOSFET i et TO-220 hus er velegnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor det muliggør betydelige effektivitetsforbedringer sammenlignet med konkurrenterne. Som efterfølger til CFD2 SJ MOSFET-serien leveres den med reduceret gate-opladning, forbedret nedlukningsadfærd og reduceret omvendt genoprettelsesopladning, der muliggør højeste effektivitet og effekttæthed samt yderligere 50 V nedbrydningsspænding.
Ultrahurtig husdiode og meget lav Qrr
650 V nedbrydningsspænding
Betydeligt reduceret skiftetab sammenlignet med konkurrenterne
Fremragende robusthed ved svær omskiftning
Ekstra sikkerhedsmargin til konstruktioner med øget busspænding
Aktivering af øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 84 A IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A 500 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V N PG-TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V N PG-TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 198 A 60 V TO-220, IPP