Infineon, MOSFET, 211 A 700 V, PG-TO220-3 IPP65R041CFD7XKSA1

Infineon 650 V CoolMOS CFD7 super junction MOSFET i et TO-220 hus er velegnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor det muliggør betydelige effektivitetsforbedringer sammenlignet med konkurrenterne. Som efterfølger til CFD2 SJ MOSFET-serien leveres den med reduceret gate-opladning, forbedret nedlukningsadfærd og reduceret omvendt genoprettelsesopladning, der muliggør højeste effektivitet og effekttæthed samt yderligere 50 V nedbrydningsspænding.

Ultrahurtig husdiode og meget lav Qrr
650 V nedbrydningsspænding
Betydeligt reduceret skiftetab sammenlignet med konkurrenterne
Fremragende robusthed ved svær omskiftning
Ekstra sikkerhedsmargin til konstruktioner med øget busspænding
Aktivering af øget effekttæthed