Infineon, MOSFET, 22 A 650 V, PG-TO 247 IPW60R099C7XKSA1

Infineon 600 V CoolMOS C7 super junction MOSFET-serien giver en reduktion på ∼50 % i slukningstab sammenlignet med CoolMOS CP, hvilket giver et fremragende niveau af ydeevne i PFC, TTF og andre topologier, der er vanskelige at skifte. MOSFET er også et perfekt match til laderdesign med høj effekttæthed. Effektivitets- og TCO-anvendelser som f.eks. hyperdatacentre og højeffektive telekommunikationskoblede ensrettere (>96 %) drager fordel af den højere effektivitet, der tilbydes af CoolMOS C7. Forstærkninger på 0,3 % til 0,7 % i PFC og 0,1 % i LLC topologier kan opnås. I tilfælde af en 2,5 kW server strømforsyning kan f.eks. brug af 600 V CoolMOS C7 SJ MOSFET'er i et TO-247 4-benet hus resultere i energibesparelser på ∼10 % for strømforsyningens energitab.

Øget skiftefrekvens
Bedste R (on)A i verden
Robust husdiode
Måling, der viser nøgleparameter for let belastning og effektivitet ved fuld belastning
Fordobling af skiftefrekvensen vil halvere størrelsen af magnetiske komponenter
Mindre huse til samme R DS(on)
Kan bruges i mange flere positioner til både hårde og bløde koblingstopologier