Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- RS-varenummer:
- 349-266
- Producentens varenummer:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 69,04
(ekskl. moms)
Kr. 86,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 69,04 |
| 10 - 99 | Kr. 62,23 |
| 100 - 499 | Kr. 57,37 |
| 500 - 999 | Kr. 53,11 |
| 1000 + | Kr. 47,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-266
- Producentens varenummer:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 37mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 329W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 37mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 329W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon IPW seriens MOSFET, 600 V drain source spænding, 64 A kontinuerlig drain strøm - IPW60R037CM8XKSA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til effektomskifter- og omformerroller i industrielle miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i et PG-TO-247-hus med gennemgående huller, der er velegnet til konventionelle kølelegemer og monteringsmetoder. Enheden er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig strømhåndtering og robuste gate-drive-egenskaber, samtidig med at den overholder branchens produktionsstandarder.
Egenskaber og fordele:
• 600 V afløbsspænding for højspændingskontaktkapacitet
• 64 A kontinuerlig afløbsstrøm til drift med kraftig belastning
• 37 mΩ RDS(on) for reducerede ledningstab
• 329 W effekttab for vedvarende termisk ydeevne
• 79 nC typisk gate-ladning, der muliggør forudsigelige drevkrav
• 64 A kontinuerlig afløbsstrøm til drift med kraftig belastning
• 37 mΩ RDS(on) for reducerede ledningstab
• 329 W effekttab for vedvarende termisk ydeevne
• 79 nC typisk gate-ladning, der muliggør forudsigelige drevkrav
Anvendelser
• Velegnet til strømforsyninger og DC-DC-konvertertrin
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med mellemstore til høje switch-mode strømforsyninger
• Kan bruges til industrielle inverter- og UPS-kredsløb
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med mellemstore til høje switch-mode strømforsyninger
• Kan bruges til industrielle inverter- og UPS-kredsløb
Hvilke hensyn til gate-driver skal jeg tillade?
Enheden har en typisk gate-ladning på 79 nC, så driverne skal give tilstrækkelig ladningsoverførsel ved den målrettede skiftefrekvens for at opnå de ønskede overgangshastigheder og minimere skiftetab.
Hvordan påvirker det termiske område implementeringsmuligheder?
Med et driftsområde fra -55 °C til 150 °C kan den bruges i miljøer med brede temperatursvingninger, hvilket giver mulighed for placering tættere på varmegenererende komponenter, når der er tilstrækkelig køling.
Hvilken monterings- og varmestyringsmetode er velegnet?
PG-TO-247-formatet med gennemgående hul accepterer standard køleelementer og skruemontering
Sørg for korrekt termisk interface-materiale og bevidst termisk PCB-design for at udnytte 329 W tabskapacitet.
Er der grænser for gate- eller drain-spændinger for sikker drift?
Den maksimale mærkeværdi for gate-til-kilde er 20 V, og den maksimale mærkeværdi for drain-til-kilde er 600 V, så systemdesign skal forhindre ekskursioner ud over disse tærskler for at undgå enhedsbelastning.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 123 A 600 V Forbedring PG-TO-247, IPW
- Infineon 211 A 650 V IPW
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon 13 A 650 V PG-TO-247, IPW
- Infineon N-Kanal 69 A 650 V PG-TO-247, IPW
- Infineon N-Kanal 64 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IMW65
- Infineon 63 A IPW
