Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 69 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- RS-varenummer:
- 258-3911
- Producentens varenummer:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 59,39
(ekskl. moms)
Kr. 74,24
(inkl. moms)
Tilføj 9 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 16 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 59,39 |
| 5 - 9 | Kr. 56,40 |
| 10 - 24 | Kr. 55,20 |
| 25 - 49 | Kr. 51,76 |
| 50 + | Kr. 48,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3911
- Producentens varenummer:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 69A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPW | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 145nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 305W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 69A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPW | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 145nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 305W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V CoolMOS CFD7 super junction MOSFET i TO-247 hus er velegnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor det muliggør betydelige effektivitetsforbedringer sammenlignet med konkurrenterne. Som efterfølger til CFD2 SJ MOSFET-serien leveres den med reduceret gate-opladning, forbedret nedlukningsadfærd og reduceret omvendt genoprettelsesopladning, der muliggør højeste effektivitet og effekttæthed samt yderligere 50 V nedbrydningsspænding.
650 V nedbrydningsspænding
Betydeligt reduceret skiftetab sammenlignet med konkurrenterne
Laveste RDS(on) afhængighed over temperatur
Fremragende robusthed ved svær omskiftning
Ekstra sikkerhedsmargin til konstruktioner med øget busspænding
Aktivering af øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 69 A 650 V PG-TO-247, IPW
- Infineon 211 A 650 V IPW
- Infineon 13 A 650 V PG-TO-247, IPW
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V TO-247, IPW
- Infineon Type N-Kanal 64 A 600 V Forbedring PG-TO-247, IPW
- Infineon 63 A IPW