Infineon, MOSFET, 13 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- RS-varenummer:
- 273-7473
- Producentens varenummer:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 46,68
(ekskl. moms)
Kr. 58,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Sidste 240 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 46,68 |
| 5 - 9 | Kr. 45,85 |
| 10 - 99 | Kr. 42,26 |
| 100 - 249 | Kr. 38,90 |
| 250 + | Kr. 35,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7473
- Producentens varenummer:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 105mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 106W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 105mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 106W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har den højeste effektivitet med fremragende brugervenlighed. Denne MOSFET har fremragende robusthed ved hård omskiftning og højeste pålidelighed til resonante topologier. Den er velegnet til bløde skiftetopologier.
Lav gate-opladning
Ultrahurtig husdiode
Bedste i klassen omvendt genoprettelsesopladning
Aktiverer løsning med øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon 13 A 650 V PG-TO-247, IPW
- Infineon 211 A 650 V IPW
- Infineon N-Kanal 69 A 650 V PG-TO-247, IPW
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 650 V TO-247, IPW
- Infineon N-Kanal 64 A 600 V Forbedring PG-TO-247, IPW
- Infineon 63 A IPW