Infineon, MOSFET, 13 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW Nej
- RS-varenummer:
- 273-7473
- Producentens varenummer:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 34,98
(ekskl. moms)
Kr. 43,72
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 34,98 |
| 5 - 9 | Kr. 34,26 |
| 10 - 99 | Kr. 31,64 |
| 100 - 249 | Kr. 29,02 |
| 250 + | Kr. 26,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7473
- Producentens varenummer:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 105mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 106W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 105mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 106W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har den højeste effektivitet med fremragende brugervenlighed. Denne MOSFET har fremragende robusthed ved hård omskiftning og højeste pålidelighed til resonante topologier. Den er velegnet til bløde skiftetopologier.
Lav gate-opladning
Ultrahurtig husdiode
Bedste i klassen omvendt genoprettelsesopladning
Aktiverer løsning med øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon 21 A PG-TO 247-3 IPW60R105CFD7XKSA1
- Infineon 17 A, PG-TO 247-3 IPW80R280P7XKSA1
- Infineon 50 A, PG-TO 247 IPW60R040C7XKSA1
- Infineon 53 PG-TO 247 IPW60R070P6XKSA1
- Infineon 24 A, PG-TO 247 IPW65R095C7XKSA1
- Infineon 75 A, PG-TO 247-4 IPZ65R019C7XKSA1
- Infineon 2 3 ben, PG-TO251-3 IPU80R1K4P7AKMA1
- Infineon 211 A 700 V, PG-TO 247 IPW65R041CFD7XKSA1
