Infineon N-Kanal, MOSFET, 205 A 40 V, TTFN, IQE
- RS-varenummer:
- 258-3923P
- Producentens varenummer:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 484,00
(ekskl. moms)
Kr. 605,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 24,20 |
| 50 - 98 | Kr. 22,475 |
| 100 - 198 | Kr. 20,83 |
| 200 + | Kr. 19,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3923P
- Producentens varenummer:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 205A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TTFN | |
| Serie | IQE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 205A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TTFN | ||
Serie IQE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS strømforsyning MOSFET 40V i en 3,3x3,3 PQFN Source-Down Centre-Gate pakke. Denne bedste i sin klasse effekt-MOSFET udfordrer status quo i effekttæthed og formfaktor i slutanvendelsen. Et mål i elværktøjsdesign er at minimere de interne begrænsninger i krav til printkortareal, hvilket muliggør et ergonomisk design og optimerer slutbrugeroplevelsen. Ved at flytte inverteren fra håndtaget ind i hovedet minimeres volumenet i elværktøjsmotorhuset samtidig med, at værktøjets moment holdes på et rimeligt højt niveau for hurtig og nem handling.
Høj strømstyrke
Mere effektiv udnyttelse af PBC-område
Højeste effekttæthed og ydeevne
Optimeret bundareal til MOSFET-parallelisering med centergate
