Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 68 A 80 V, WDSON, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3963
- Producentens varenummer:
- IRF6646TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 32,46
(ekskl. moms)
Kr. 40,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.688 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 16,23 | Kr. 32,46 |
| 20 - 48 | Kr. 14,625 | Kr. 29,25 |
| 50 - 98 | Kr. 13,65 | Kr. 27,30 |
| 100 - 198 | Kr. 12,715 | Kr. 25,43 |
| 200 + | Kr. 11,895 | Kr. 23,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3963
- Producentens varenummer:
- IRF6646TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 68A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | WDSON | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.5mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 68A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype WDSON | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.5mΩ | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET siliciumteknologi med det avancerede DirectFETTM-hus for at opnå den laveste modstand i tændt tilstand i et hus, der har formålet med en SO-8 og kun 0,7 mm profil. DirectFET-huset er kompatibelt med eksisterende layoutgeometrier, der anvendes i strømforsyninger, printmonteringsudstyr og dampfase-, infrarød- eller konvektionsloddeteknikker. Anvendelsesbemærkning AN-1035 følges med hensyn til fremstillingsmetoder og -processer.
Anvendelsesspecifikke MOSFET'er
Velegnet til højtydende isoleret konverter
Primær kontaktfatning
Optimeret til synkron ensretning
Lavt ledningstab
Høj Cdv/dt-immunitet
Lavprofil (<0,7 mm)
Kompatibel med dobbeltsidet køling
Kompatibel med eksisterende overflademonteringsteknik
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 68 A 80 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 30 V HEXFET
- Infineon 220 A 25 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 50 A 80 V Forbedring MG-WDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 68 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V HEXFET