Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 30 V, WDSON, HEXFET

Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*

Kr. 28.608,00

(ekskl. moms)

Kr. 35.760,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4800 +Kr. 5,96Kr. 28.608,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3966
Producentens varenummer:
IRF6727MTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

WDSON

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

2.4mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Gennemgangsspænding Vf

0.77V

Min. driftstemperatur

-40°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Høj mærkestrøm

Dobbeltsidet kølekapacitet

Lav hushøjde på 0,7 mm

Kompakt formfaktor

Høj effektivitet

Miljøvenlig

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.