Infineon P-Kanal, MOSFET, 13 A 150 V, DPAK, HEXFET IRFR6215TRLPBF

Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser. D-PAK er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker. Den lige ledningsversion er til hulmontering. Effekttabniveauer på op til 1,5 watt er mulige i typiske anvendelser til overflademontering.

Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
øget robusthed
Bred tilgængelighed fra distributionspartnere
Kvalifikationsniveau iht. industristandard