Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3994
- Producentens varenummer:
- IRLB4132PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 24,65
(ekskl. moms)
Kr. 30,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.175 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,93 | Kr. 24,65 |
| 50 - 120 | Kr. 4,398 | Kr. 21,99 |
| 125 - 245 | Kr. 4,10 | Kr. 20,50 |
| 250 - 495 | Kr. 3,874 | Kr. 19,37 |
| 500 + | Kr. 3,546 | Kr. 17,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3994
- Producentens varenummer:
- IRLB4132PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET er optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere. Dens produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden.
Optimeret til 5 V gate-drive-spænding
Industristandard strømforsyningshus til hulmontering
Hus med høj bæreevne
Relaterede links
- Infineon 150 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 150 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon 8.7 A 150 V TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 150 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
