Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TSDSON, SPD15P10P Nej SPD15P10PGBTMA1
- RS-varenummer:
- 258-7787
- Producentens varenummer:
- SPD15P10PGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 70,46
(ekskl. moms)
Kr. 88,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,092 | Kr. 70,46 |
| 50 - 120 | Kr. 12,552 | Kr. 62,76 |
| 125 - 245 | Kr. 11,834 | Kr. 59,17 |
| 250 - 495 | Kr. 10,98 | Kr. 54,90 |
| 500 + | Kr. 5,64 | Kr. 28,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-7787
- Producentens varenummer:
- SPD15P10PGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.24Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.35V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SPD15P10P | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.24Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.35V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons SIPMOS-effekttransistor tilhører meget innovative OptiMOS-serien af P-kanal-effekt-MOSFET'er. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i vigtige specifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber.
Forbedringstilstand
Avalanche-godkendt
Blyfri blybelægning
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 15 A 100 V, PG-TSDSON-8 SPD15P10PGBTMA1
- Infineon P-Kanal 39 PG-TSDSON-8 BSZ180P03NS3EGATMA1
- Infineon P-Kanal 10 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ24DP10LMATMA1
- Infineon N-Kanal 160 A 100 V, PG-TSDSON-8 IPB039N10N3GATMA1
- Infineon P-Kanal 15 A 100 V, PG-TO252-3 SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 52 A 20/20 V, PG-TSDSON-8 LTI BSZ215CHXTMA1
- Infineon P-Kanal 2 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ15EP15LMATMA1
- Infineon P-Kanal 5 8 ben OptiMOS Power Transistor ISZ75DP15LMATMA1
