Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 75 V N, 8 Ben, TDSON, BSC Nej BSC036NE7NS3GATMA1
- RS-varenummer:
- 259-1471
- Producentens varenummer:
- BSC036NE7NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 15,41
(ekskl. moms)
Kr. 19,262
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 7,705 | Kr. 15,41 |
| 20 - 48 | Kr. 6,88 | Kr. 13,76 |
| 50 - 98 | Kr. 6,47 | Kr. 12,94 |
| 100 - 198 | Kr. 6,02 | Kr. 12,04 |
| 200 + | Kr. 3,85 | Kr. 7,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-1471
- Producentens varenummer:
- BSC036NE7NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | BSC | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.6Ω | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.35mm | |
| Højde | 5.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie BSC | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.6Ω | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63.4nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.35mm | ||
Højde 5.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 75 V optimos teknologi er specialiseret i synkron ensretning. Baseret på den førende 80 V-teknologi har disse 75 V-produkter samtidig den laveste modstand i tændt tilstand og fremragende skifteydelse.
Optimeret teknologi til synkron ensretning
Bedste skifteydelse
Verdens laveste R DS(on)
Meget lav Q g og Q gd
Fremragende gate-opladning x R DS(on) produkt (FOM)
Halogenfri i overensstemmelse med RoHS
MSL3 normeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V, PG-TDSON-8-7 BSC036NE7NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V OptiMOS™ BSC010NE2LSIATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V OptiMOS™ BSC014NE2LSIATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V, PG-TDSON IAUC100N04S6N015ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V, PG-TDSON IAUC100N04S6N022ATMA1
- Infineon N-Kanal 18 A 100 V, PG-TDSON-8 BSZ440N10NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V, PG-TDSON-8 IAUC100N08S5N031ATMA1
- Infineon N-Kanal 58 A 100 V, PG-TDSON-8 IPB123N10N3GATMA1
