Infineon N-Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 260-1055
- Producentens varenummer:
- IPP013N04NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1000 enheder, i en tube med 1000)*
Kr. 7.951,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.939,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 7,951 | Kr. 7.951,00 |
| 2000 + | Kr. 7,778 | Kr. 7.778,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1055
- Producentens varenummer:
- IPP013N04NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 197A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 850mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 159nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 197A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 850mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 159nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET giver en adressering af en bred vifte af anvendelser fra lav til høj switching-frekvens og har bred tilgængelighed fra distributionspartnere til fremragende pris og ydeevne.
Høj mærkestrøm
Hus med hulmontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 197 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 193 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 121 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 201 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 113 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 137 A 100 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 84 A IPP
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101