Infineon N-Kanal, MOSFET, 113 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 260-1062
- Producentens varenummer:
- IPP033N04NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 62,83
(ekskl. moms)
Kr. 78,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 665 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,566 | Kr. 62,83 |
| 50 - 120 | Kr. 11,19 | Kr. 55,95 |
| 125 - 245 | Kr. 10,576 | Kr. 52,88 |
| 250 - 495 | Kr. 9,798 | Kr. 48,99 |
| 500 + | Kr. 6,284 | Kr. 31,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1062
- Producentens varenummer:
- IPP033N04NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 113A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IPP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.75mm | |
| Bredde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 113A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IPP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.75mm | ||
Bredde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Længde 15.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET giver en adressering af en bred vifte af anvendelser fra lav til høj switching-frekvens og har bred tilgængelighed fra distributionspartnere til fremragende pris og ydeevne.
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 113 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 193 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 121 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 201 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 197 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 137 A 100 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 84 A IPP
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101