Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 217-2555
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-31-966
- Producentens varenummer:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 145,15
(ekskl. moms)
Kr. 181,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 14,515 | Kr. 145,15 |
| 20 - 40 | Kr. 13,793 | Kr. 137,93 |
| 50 - 90 | Kr. 13,206 | Kr. 132,06 |
| 100 - 240 | Kr. 12,626 | Kr. 126,26 |
| 250 + | Kr. 11,753 | Kr. 117,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2555
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-31-966
- Producentens varenummer:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 137A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 88nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 29.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 137A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 88nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 29.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons 100 V OptiMOS™ power MOSFET'er tilbyder fremragende løsninger til højeffektiv SMPS med høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår denne familie en reduktion på 30 % i både R DS (on) og FOM (figure of Merit).
Fremragende skifteevne verdens laveste R DS (til)
Meget lav Q g og Q gd
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Overholder RoHS - halogenfri
MSL1-normeret 2
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 137 A 100 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 121 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 193 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 197 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 201 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 113 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 84 A IPP
- Infineon Type N-Kanal 77 A 55 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101