Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP Nej IPP045N10N3GXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 145,15

(ekskl. moms)

Kr. 181,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 390 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 10Kr. 14,515Kr. 145,15
20 - 40Kr. 13,793Kr. 137,93
50 - 90Kr. 13,206Kr. 132,06
100 - 240Kr. 12,626Kr. 126,26
250 +Kr. 11,753Kr. 117,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2555
Producentens varenummer:
IPP045N10N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

137A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

IPP

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

88nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.57 mm

Højde

29.95mm

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

No

Distrelec Product Id

304-31-966

Bilindustristandarder

Nej

Infineons 100 V OptiMOS™ power MOSFET'er tilbyder fremragende løsninger til højeffektiv SMPS med høj effekttæthed. Sammenlignet med den næstbedste teknologi opnår denne familie en reduktion på 30 % i både R DS (on) og FOM (figure of Merit).

Fremragende skifteevne verdens laveste R DS (til)

Meget lav Q g og Q gd

Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)

Overholder RoHS - halogenfri

MSL1-normeret 2

Relaterede links