Infineon N-Kanal, MOSFET, 193 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 260-1058
- Producentens varenummer:
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 47,05
(ekskl. moms)
Kr. 58,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 918 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 23,525 | Kr. 47,05 |
| 20 - 48 | Kr. 21,13 | Kr. 42,26 |
| 50 - 98 | Kr. 19,71 | Kr. 39,42 |
| 100 - 198 | Kr. 18,365 | Kr. 36,73 |
| 200 + | Kr. 17,205 | Kr. 34,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1058
- Producentens varenummer:
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 193A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 860mV | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.75mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bredde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 193A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 860mV | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.75mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Bredde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET giver en adressering af en bred vifte af anvendelser fra lav til høj switching-frekvens og har bred tilgængelighed fra distributionspartnere til fremragende pris og ydeevne.
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Hus med hulmontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 193 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 121 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 201 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 197 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 113 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 137 A 100 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon N-Kanal 84 A IPP
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101