Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP

RS-varenummer:: 260-1215
Producentens varenummer:: IPP60R040S7XKSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP

Indhold (1 rør af 500 enheder)*

Kr. 9.827,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.284,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 21. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
500 +	Kr. 19,654	Kr. 9.827,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 260-1215
Producentens varenummer:: IPP60R040S7XKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	13A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	IPP
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	40mΩ
	Portkildespænding maks.	30 V
	Effektafsættelse maks. Pd	245W
	Gennemgangsspænding Vf	0.82V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	83nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	4.57mm
	Længde	10.36mm
	Bredde	15.95 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype TO-220
	Serie IPP
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 40mΩ
	Portkildespænding maks. 30 V
	Effektafsættelse maks. Pd 245W
	Gennemgangsspænding Vf 0.82V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 4.57mm
	Længde 10.36mm
	Bredde 15.95 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPP60R040S7XKSA1

Infineon Series IPP MOSFET-transistor, 600V maksimal Drain Source-spænding, 13A maksimal kontinuerlig Drain-strøm - IPP60R040S7XKSA1

Denne MOSFET-transistor er en banebrydende højspændingshalvlederkomponent, der er designet til effektiv strømafbrydelse. Med robuste specifikationer, herunder en kontinuerlig drain-strøm på 13A og en maksimal drain-source-spænding på 600V, er den indkapslet i en TO-220-pakke, hvilket gør den velegnet til en lang række anvendelser. Den sikrer pålidelig ydeevne i krævende miljøer og fungerer inden for et bredt temperaturområde fra -55 °C til +150 °C.

Egenskaber og fordele

• Designet med CoolMOS™ S7-teknologi for at minimere ledningstab

• Har en lav on-state modstand på 40mΩ for forbedret effektivitet

• I stand til at håndtere høje pulsstrømme til krævende krav

• Optimeret til lavfrekvente switching-applikationer, hvilket forbedrer systemets ydeevne

• Indbyggede funktioner sikrer høj pålidelighed i statiske skiftescenarier

Anvendelser

• Bruges til solid-state relæer og innovative afbryderdesigns

• Ideel til linjeudligning inden for højeffektsydelser som computere og telekommunikation

• Anvendelig i løsninger til vedvarende energi, især solcelleinvertere

Hvad er de kritiske funktioner, der påvirker den termiske ydeevne?

Enheden har en maksimal effektafledning på 245 W og en termisk modstand fra forbindelsen til omgivelserne på 62 °C/W, hvilket muliggør effektiv varmestyring. Det sikrer lang levetid og pålidelighed under krævende driftsforhold.

Hvordan forbedrer denne komponent systemeffektiviteten for lavfrekvente applikationer?

Med sin lave on-state-modstand og CoolMOS™-teknologi reduceres energitabet under drift betydeligt, hvilket giver mulighed for at forbedre den samlede effektivitet og minimere varmeudviklingen i lavfrekvente miljøer.

Hvad er den anbefalede praksis for brug af dette i højspændingsapplikationer?

Det er tilrådeligt at evaluere virkningen af kosmisk stråling i designfasen og overveje passende designpraksis, såsom at bruge ferritperler på gaten til parallelle anvendelser, for at afbøde eventuelle problemer.