Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 33,59

(ekskl. moms)

Kr. 41,99

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 403 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 33,59
10 - 24Kr. 31,86
25 - 49Kr. 30,59
50 - 99Kr. 29,17
100 +Kr. 27,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
260-1218
Producentens varenummer:
IPP60R065S7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

IPP

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

9.45 mm

Højde

4.57mm

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET giver den bedste pris til anvendelser med lavfrekvent switching. CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en tydelig forøgelse af energieffektiviteten. CoolMOS S7 er optimeret til "statisk omskiftning" og anvendelser med høj strømstyrke. Den er velegnet til konstruktioner af halvlederrelæer og automatsikringer samt til linjens ensretning i SMPS- og invertertopologier.

Høj impulsstrømkapacitet

Øget systemydeevne

Mere kompakt og lettere design

Lavere BOM og/eller TCO over længere levetid

Modstandsdygtighed over for stød og vibrationer

Relaterede links