Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 260-1218
- Producentens varenummer:
- IPP60R065S7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 33,59
(ekskl. moms)
Kr. 41,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 401 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 33,59 |
| 10 - 24 | Kr. 31,86 |
| 25 - 49 | Kr. 30,59 |
| 50 - 99 | Kr. 29,17 |
| 100 + | Kr. 27,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1218
- Producentens varenummer:
- IPP60R065S7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET giver den bedste pris til anvendelser med lavfrekvent switching. CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en tydelig forøgelse af energieffektiviteten. CoolMOS S7 er optimeret til "statisk omskiftning" og anvendelser med høj strømstyrke. Den er velegnet til konstruktioner af halvlederrelæer og automatsikringer samt til linjens ensretning i SMPS- og invertertopologier.
Høj impulsstrømkapacitet
Øget systemydeevne
Mere kompakt og lettere design
Lavere BOM og/eller TCO over længere levetid
Modstandsdygtighed over for stød og vibrationer
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 84 A IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A 500 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V IPP
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V N PG-TO-220, IPP
