Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP Nej
- RS-varenummer:
- 258-3894
- Producentens varenummer:
- IPP60R160P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 635,15
(ekskl. moms)
Kr. 793,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 12,703 | Kr. 635,15 |
| 100 - 200 | Kr. 11,433 | Kr. 571,65 |
| 250 + | Kr. 10,797 | Kr. 539,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3894
- Producentens varenummer:
- IPP60R160P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 super junction MOSFET er efterfølgeren til 600 V CoolMOS P6 serien. Den fortsætter med at balancere behovet for høj effektivitet mod brugervenlighed i designprocessen. Den bedste RonxA i sin klasse og den iboende lave gate-opladning på CoolMOS 7. generations platform sikrer dens høje effektivitet.
Integreret gatemodstand RG
Robust husdiode
Bredt udvalg i huse til hulmontering og overflademontering
Brugervenlighed i produktionsmiljøer ved at forhindre ESD-fejl
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V TO-220, IPP Nej IPP60R160P7XKSA1
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V TO-220, IPP Nej
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V TO-220, IPP Nej
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V TO-220, IPP Nej IPP60R065S7XKSA1
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V TO-220, IPP Nej IPP60R040S7XKSA1
- Infineon Type N-Kanal 84 A IPP Nej
- Infineon Type N-Kanal 84 A IPP Nej IPP120N20NFDAKSA1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V IPP Nej
