Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej IRFP3006PBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 42,22

(ekskl. moms)

Kr. 52,78

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 96 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 42,22
10 - 24Kr. 40,17
25 - 49Kr. 38,52
50 - 99Kr. 36,65
100 +Kr. 34,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
260-5869
Elfa Distrelec varenummer:
302-84-049
Producentens varenummer:
IRFP3006PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

270A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

15.87mm

Højde

20.7mm

Distrelec Product Id

30284049

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 270 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 60 V maksimal drænkildespænding - IRFP3006PBF


Denne højtydende MOSFET er en kritisk komponent til moderne elektroniske applikationer, designet med forbedret effektivitet og pålidelighed for øje. Dimensionerne på denne TO-247-pakke omfatter en længde på 15,87 mm, en bredde på 5,31 mm og en højde på 20,7 mm. Den fungerer effektivt i en række forskellige miljøer og bidrager med betydelig værdi i strømstyringssituationer.

Egenskaber og fordele


• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 270A til krævende krav

• 60V drain-source-kapacitet til alsidig brug

• Maksimal effektafledning på 375 W understøtter robust ydeevne

• Forbedret lavinekapacitet for bedre systembeskyttelse

• Gennemgående hulmontering sikrer solid og pålidelig installation

Anvendelser


• Anvendes i højeffektive synkrone ensretningssystemer

• Ideel til uafbrydelige strømforsyninger for at sikre pålidelighed

• Effektiv i højhastigheds-strømskift

• Velegnet til hard-switched og højfrekvente kredsløb

Hvilken termisk ydeevne kan man forvente under kontinuerlige driftsforhold?


Med en maksimal driftstemperatur på +175 °C håndterer den pålideligt høje termiske belastninger, mens den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet understøtter effektiv varmeafledning.

Hvordan bidrager gate-tærskelspændingen til dens ydeevne i kredsløb?


Den har en maksimal gate-tærskelspænding på 4 V, hvilket sikrer, at kontrolsignaler aktiverer MOSFET'en effektivt og giver synergi med kontrolkredsløb med lavere spænding.

Hvad betyder den lave Rds(on) for kredsløbets effektivitet?


En lav on-modstand på 2,5 mΩ reducerer energitabet betydeligt, hvilket forbedrer den samlede kredsløbseffektivitet, især i strømkrævende applikationer, hvilket betyder lavere varmeudvikling og forbedret ydeevne.

Relaterede links