Infineon N-Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 260-5869
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-84-049
- Producentens varenummer:
- IRFP3006PBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 2%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 42,94
(ekskl. moms)
Kr. 53,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 16 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 63 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 42,94 | - |
| 10 - 24 | Kr. 41,66 | 2% |
| 25 - 49 | Kr. 40,69 | 5% |
| 50 - 99 | Kr. 39,64 | 7% |
| 100 + | Kr. 38,60 | 10% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5869
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-84-049
- Producentens varenummer:
- IRFP3006PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 270A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.31mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 270A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.31mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 270 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 60 V maksimal drænkildespænding - IRFP3006PBF
Denne højtydende MOSFET er en kritisk komponent til moderne elektroniske applikationer, designet med forbedret effektivitet og pålidelighed for øje. Dimensionerne på denne TO-247-pakke omfatter en længde på 15,87 mm, en bredde på 5,31 mm og en højde på 20,7 mm. Den fungerer effektivt i en række forskellige miljøer og bidrager med betydelig værdi i strømstyringssituationer.
Egenskaber og fordele
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 270A til krævende krav
• 60V drain-source-kapacitet til alsidig brug
• Maksimal effektafledning på 375 W understøtter robust ydeevne
• Forbedret lavinekapacitet for bedre systembeskyttelse
• Gennemgående hulmontering sikrer solid og pålidelig installation
Anvendelser
• Anvendes i højeffektive synkrone ensretningssystemer
• Ideel til uafbrydelige strømforsyninger for at sikre pålidelighed
• Effektiv i højhastigheds-strømskift
• Velegnet til hard-switched og højfrekvente kredsløb
Hvilken termisk ydeevne kan man forvente under kontinuerlige driftsforhold?
Med en maksimal driftstemperatur på +175 °C håndterer den pålideligt høje termiske belastninger, mens den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet understøtter effektiv varmeafledning.
Hvordan bidrager gate-tærskelspændingen til dens ydeevne i kredsløb?
Den har en maksimal gate-tærskelspænding på 4 V, hvilket sikrer, at kontrolsignaler aktiverer MOSFET'en effektivt og giver synergi med kontrolkredsløb med lavere spænding.
Hvad betyder den lave Rds(on) for kredsløbets effektivitet?
En lav on-modstand på 2,5 mΩ reducerer energitabet betydeligt, hvilket forbedrer den samlede kredsløbseffektivitet, især i strømkrævende applikationer, hvilket betyder lavere varmeudvikling og forbedret ydeevne.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 200 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 186 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 483 A 100 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 224 A 150 V Forbedring HEXFET