STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 261-4760
- Producentens varenummer:
- STP65N150M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 29,92
(ekskl. moms)
Kr. 37,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 94 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 29,92 |
| 10 - 99 | Kr. 16,68 |
| 100 - 499 | Kr. 16,53 |
| 500 - 999 | Kr. 16,31 |
| 1000 + | Kr. 16,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-4760
- Producentens varenummer:
- STP65N150M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 28.9mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 28.9mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal 650 V, 128 mOhm typisk, 20 A MDmesh M9 effekt MOSFET i et TO-220 hus
Denne N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super-sammenkobling MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område. Den siliciumbaserede M9-teknologi drager fordel af en multi-drain produktionsproces, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste modstande ved tændt og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle silicium-baserede hurtigt skiftende super-sammenkoblings-effekt-MOSFET'er, hvilket gør den særligt velegnet til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og fremragende effektivitet.
Alle funktioner
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2