STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Forbedring, 7 Ben, Tape og rulle
- RS-varenummer:
- 261-5040P
- Producentens varenummer:
- SCT040HU65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 833,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.041,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 177 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 83,33 |
| 100 - 249 | Kr. 82,28 |
| 250 - 499 | Kr. 81,31 |
| 500 + | Kr. 80,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5040P
- Producentens varenummer:
- SCT040HU65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | Tape og rulle | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 18.58mm | |
| Højde | 3.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype Tape og rulle | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 18.58mm | ||
Højde 3.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje skiftefunktioner, som forbedrer anvendelsesydeevnen i frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
AEC-Q101-kvalificeret
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Højhastigheds-switching-ydeevne
Meget hurtig og robust diode med eget hus
Kilde-registreringsben for øget effektivitet