STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Forbedring, Tape og rulle
- RS-varenummer:
- 261-5045P
- Producentens varenummer:
- STD80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 264,80
(ekskl. moms)
Kr. 331,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 218 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 26,48 |
| 100 - 249 | Kr. 25,13 |
| 250 - 499 | Kr. 23,79 |
| 500 + | Kr. 22,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5045P
- Producentens varenummer:
- STD80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | Tape og rulle | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype Tape og rulle | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højspændings N-kanals effekt MOSFET er konstrueret med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ egenudviklet vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af modstand ved tænding og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste RDS(on) x område
Verdens bedste FOM (fortjeneste)
Meget lav gate-opladning
100 procent lavintestet
Zenerbeskyttet