STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 20 A, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 261-5483P
- Producentens varenummer:
- STD65N160M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 30,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 172,00
(ekskl. moms)
Kr. 215,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 17,20 | - |
| 100 - 499 | Kr. 16,90 | Kr. 30,00 |
| 500 - 2499 | Kr. 16,68 | Kr. 260,00 |
| 2500 + | Kr. 16,46 | Kr. 1.850,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5483P
- Producentens varenummer:
- STD65N160M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET er baseret på den mest innovative super junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings-MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område. Den siliciumbaserede M9-teknologi drager fordel af en multi-drain-fremstillingsproces, der muliggør en forbedret enhedsstruktur.
Højere VDSS-normering
Fremragende skifteydelse
Let at drive
100 % lavine-testet
Zenerbeskyttet