STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V, 3 Ben, TO-220, MDmesh K6
- RS-varenummer:
- 261-5485P
- Producentens varenummer:
- STP80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 178,00
(ekskl. moms)
Kr. 222,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 17,80 |
| 100 - 499 | Kr. 16,16 |
| 500 - 999 | Kr. 15,18 |
| 1000 + | Kr. 14,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5485P
- Producentens varenummer:
- STP80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh K6 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.6Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie MDmesh K6 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.6Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics meget højspændings N-kanals effekt-MOSFET er konstrueret med den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på super junction-teknologi. Resultatet er den bedste modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste RDS(on) x område
Verdens bedste FOM (fortjeneste)
Meget lav gate-opladning
100 % lavine-testet
Zenerbeskyttet