STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-varenummer:
- 261-5532P
- Producentens varenummer:
- STL120N10F8
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 37,33
(ekskl. moms)
Kr. 46,662
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 + | Kr. 18,665 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5532P
- Producentens varenummer:
- STL120N10F8
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 125A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 125A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal forbedringstilstand standardniveau 100 V, 4,6 mOhm maks., 125 A STripFET F8 Power MOSFET i et PowerFLAT 5x6 hus
Denne STMicroelectronics N-channel Power MOSFET anvender STripFET F8-teknologi med en forbedret grøftportstruktur.;Den sikrer meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den reducerer de interne kapaciteter og gate-opladning for hurtigere og mere effektiv omskiftning.