STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB
- RS-varenummer:
- 261-5584P
- Producentens varenummer:
- RF5L15120CB4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 2.665,58
(ekskl. moms)
Kr. 3.331,98
(inkl. moms)
Tilføj 2 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 2 | Kr. 1.332,79 |
| 3 + | Kr. 1.299,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5584P
- Producentens varenummer:
- RF5L15120CB4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 95V | |
| Emballagetype | LBB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 28.95mm | |
| Standarder/godkendelser | 2002/95/EC | |
| Bredde | 5.85 mm | |
| Højde | 2.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain source spænding maks. Vds 95V | ||
Emballagetype LBB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 28.95mm | ||
Standarder/godkendelser 2002/95/EC | ||
Bredde 5.85 mm | ||
Højde 2.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, der er designet til bredbånds kommerciel kommunikation, tv-udsendelse, avionik og industrielle anvendelser med frekvenser fra HF til 1,5 GHz. Den kan bruges i klasse AB/B og klasse C til alle typiske modulationsformater.
Høj effektivitet og lineær forstærkning
Integreret ESD-beskyttelse
Stort positivt og negativt gate- eller kildespændingsområde
Fremragende termisk stabilitet, lav HCI-drift
