ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V N, TO-252, RD3G03BBG
- RS-varenummer:
- 261-9330P
- Producentens varenummer:
- RD3G03BBGTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 550,50
(ekskl. moms)
Kr. 688,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.470 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 11,01 |
| 100 - 245 | Kr. 8,796 |
| 250 - 995 | Kr. 8,646 |
| 1000 + | Kr. 7,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-9330P
- Producentens varenummer:
- RD3G03BBGTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | RD3G03BBG | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie RD3G03BBG | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM RD3G03BBG er en effekt-MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, velegnet til omskiftning. Opbevaringstemperaturen varierer fra -55 °C til +150 °C.
Antal terminaler er 3
Blyfri belægning og i overensstemmelse med RoHS
Halogenfri