Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.9 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 411,40

(ekskl. moms)

Kr. 514,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 90Kr. 8,228
100 - 240Kr. 8,048
250 - 490Kr. 5,625
500 +Kr. 4,413

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6738P
Producentens varenummer:
IRF7473TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

26mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

61nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET har fordele som f.eks. lav gate-drivstrøm på grund af forbedret gate-ladningskarakteristik, forbedret lavine-holdbarhed og dynamisk dv/dt og fuldt karakteriseret lavine-spænding og strøm.

Meget lav modstand ved tændt

Højhastighedsskift

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.