Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 1.024,80

(ekskl. moms)

Kr. 1.281,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 250 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
100 - 240Kr. 10,248
250 - 490Kr. 10,023
500 - 990Kr. 9,372
1000 +Kr. 8,714

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6784P
Producentens varenummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.