ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-457, RUQ050N02HZG Nej RUQ050N02HZGTR
- RS-varenummer:
- 264-3885
- Producentens varenummer:
- RUQ050N02HZGTR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 29,70
(ekskl. moms)
Kr. 37,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 2,97 | Kr. 29,70 |
| 50 - 90 | Kr. 2,902 | Kr. 29,02 |
| 100 - 240 | Kr. 2,281 | Kr. 22,81 |
| 250 - 990 | Kr. 2,237 | Kr. 22,37 |
| 1000 + | Kr. 1,75 | Kr. 17,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-3885
- Producentens varenummer:
- RUQ050N02HZGTR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-457 | |
| Serie | RUQ050N02HZG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-457 | ||
Serie RUQ050N02HZG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ROHM MOSFET med lille signal er en MOSFET med lav modstand ved tænding, velegnet til omskiftning, det er et lille hus til overflademontering, blyfri ledningsbelægning og i overensstemmelse med RoHS.
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 5 A 20 V SOT-457T RUQ050N02HZGTR
- ROHM N-Kanal 4 6 ben, SOT-457T RTQ045N03HZGTR
- ROHM N-Kanal 3 6 ben, SOT-457T RTQ035N03HZGTR
- ROHM N-Kanal 2 A 45 V SOT-457T RTQ020N05HZGTR
- ROHM N-Kanal 4 6 ben, SOT-457T RSQ045N03HZGTR
- ROHM N-Kanal 4 A 45 V SOT-457T RVQ040N05HZGTR
- ROHM N-Kanal 3 6 ben, SOT-457T RSQ035N06HZGTR
- ROHM P-Kanal 4 6 ben, SOT-457T RTQ035P02HZGTR
