Microchip N-Kanal, MOSFET 60 V, TO-92 TN0606N3-G

Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

2 V maks. lav tærskelværdi
Høj indgangsimpedans
100 pF typisk lav indgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage