Microchip N-Kanal, MOSFET 100 V, TO-92 TN0610N3-G

Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Lav tærskelværdi - 2,0 V maks.
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet - 100 pF typisk
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage