Microchip N-Kanal, MOSFET, 4 A 400 V MOSFET, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 264-8923P
- Producentens varenummer:
- TN2640K4-G
- Brand:
- Microchip
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 168,50
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 806,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.007,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.834 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 98 | Kr. 16,12 | - |
| 100 - 248 | Kr. 14,435 | Kr. 168,50 |
| 250 - 998 | Kr. 14,175 | Kr. 486,25 |
| 1000 + | Kr. 13,915 | Kr. 2.205,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8923P
- Producentens varenummer:
- TN2640K4-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform MOSFET | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Karakteristisk for alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk rømning og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Lav tærskelværdi (2,0 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Uden sekundær afbrydelse
Lav indgangs- og udgangslækage