Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 230 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, TN5335

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 65,60

(ekskl. moms)

Kr. 82,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.690 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,56Kr. 65,60
50 - 90Kr. 6,425Kr. 64,25
100 - 240Kr. 5,243Kr. 52,43
250 - 990Kr. 5,131Kr. 51,31
1000 +Kr. 5,034Kr. 50,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-8925
Producentens varenummer:
TN5335K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

230mA

Drain source spænding maks. Vds

350V

Serie

TN5335

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15Ω

Kanalform

MOSFET

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Bredde

1.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Microchips N-kanal MOSFET med lav tærskel-forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet fremstillingsproces med silicium-gate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Lav tærskelværdi

Høj indgangsimpedans

Lav indgangskapacitet

Hurtige skiftehastigheder

Lav modstand ved tændt

Uden sekundær afbrydelse

Lav indgangs- og udgangslækage

Relaterede links