Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 350 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN0106 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 4.003,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.004,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 4,003Kr. 4.003,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
264-8940
Producentens varenummer:
VN0106N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

VN0106

Emballagetype

TO-92

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Uden sekundær afbrydelse

Krav til drev med lavt strømforbrug

Let parallellering

Lav CISS og hurtig skiftehastighed

Fremragende termisk stabilitet

Integreret kilde-drain-diode

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links