Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 350 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN0106
- RS-varenummer:
- 264-8940
- Producentens varenummer:
- VN0106N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 4.111,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.139,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 4,111 | Kr. 4.111,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8940
- Producentens varenummer:
- VN0106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VN0106 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VN0106 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 350 A 60 V Forbedring TO-92, VN0106
- Microchip N-Kanal 350 mA 60 V TO-92, TN0106 TN0106N3-G
- Microchip Type N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring TO-92
- Microchip Type N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring TO-92, 2N7008
- Microchip Type N-Kanal 3 A 60 V Forbedring TO-92, TN0606
- Microchip Type N-Kanal 310 mA 60 V Forbedring TO-92, VN10K
- Microchip Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring TO-92, 2N7000
- Microchip Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring TO-92, TN2106