Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 1 A 240 V MOSFET, 3 Ben, TO-92, VN2406
- RS-varenummer:
- 264-8944
- Producentens varenummer:
- VN2406L-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 12.477,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.596,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 12,477 | Kr. 12.477,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8944
- Producentens varenummer:
- VN2406L-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VN2406 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VN2406 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-Channel MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) anvender en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 1 A 240 V MOSFET TO-92, VN2406
- Microchip Type N-Kanal 190 mA 240 V Forbedring TO-92
- Microchip Type N-Kanal 3 A Forbedring TO-92
- DiodesZetex Type N-Kanal 160 mA 240 V Forbedring TO-92
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben TN0702
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben VN3205
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben TN0604
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben VN0104