Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -120 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, VP2110
- RS-varenummer:
- 264-8951P
- Producentens varenummer:
- VP2110K1-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 267,05
(ekskl. moms)
Kr. 333,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.830 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 5,341 |
| 100 - 240 | Kr. 2,857 |
| 250 - 990 | Kr. 2,812 |
| 1000 + | Kr. 2,753 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8951P
- Producentens varenummer:
- VP2110K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -120mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | VP2110 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -120mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie VP2110 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-til-dræn-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning