STMicroelectronics, MOSFET, 15 A 750 V Forbedring, 4 Ben, Rulle, G-HEMT

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-1035P
Producentens varenummer:
SGT120R65AL
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Serie

G-HEMT

Emballagetype

Rulle

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics e-mode PowerGaN-transistor er kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.

Forbedringstilstand normalt fra transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin-kildepude for optimal gate-drift

Nul omvendt genopretningsopladning

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.