STMicroelectronics, MOSFET, 15 A 750 V Forbedring, 4 Ben, Rulle, G-HEMT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 534,75

(ekskl. moms)

Kr. 668,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
50 - 98Kr. 10,695
100 - 248Kr. 10,395
250 - 998Kr. 10,135
1000 +Kr. 9,875

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-1035P
Producentens varenummer:
SGT120R65AL
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Serie

G-HEMT

Emballagetype

Rulle

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics e-mode PowerGaN-transistor er kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.

Forbedringstilstand normalt fra transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin-kildepude for optimal gate-drift

Nul omvendt genopretningsopladning