ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN
- RS-varenummer:
- 265-5415P
- Producentens varenummer:
- R6013VND3TL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 656,70
(ekskl. moms)
Kr. 820,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.445 enhed(er) afsendes fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 13,134 |
| 100 - 245 | Kr. 10,562 |
| 250 - 995 | Kr. 10,352 |
| 1000 + | Kr. 8,616 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-5415P
- Producentens varenummer:
- R6013VND3TL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | R6013VND3 NaN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 131W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS NaN | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie R6013VND3 NaN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 131W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS NaN | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser.
Hurtig omvendt genopretningstid (trr)
Lav modstand ved tændt
Hurtig skiftehastighed
Drevkredsløb kan være enkle