ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-3PF, R6055VNZ
- RS-varenummer:
- 265-5423P
- Producentens varenummer:
- R6055VNZC17
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 404,70
(ekskl. moms)
Kr. 505,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 37 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 40,47 |
| 25 - 49 | Kr. 39,79 |
| 50 - 99 | Kr. 38,97 |
| 100 + | Kr. 38,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-5423P
- Producentens varenummer:
- R6055VNZC17
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-3PF | |
| Serie | R6055VNZ | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.071Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 99W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-3PF | ||
Serie R6055VNZ | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.071Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 99W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free Plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser.
Hurtig omvendt genopretningstid (trr)
Lav modstand ved tændt
Hurtig skiftehastighed
Drevkredsløb kan være enkle