ROHM N-Kanal, MOSFET, 3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SMM1006, RA1C030LD

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-5427
Producentens varenummer:
RA1C030LDT5CL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

RA1C030LD

Emballagetype

SMM1006

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-0.2V, 7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

Pb-free lead plating, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

ROHM MOSFET'er med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser. Den er monteret på et Cu-kort, og den er halogenfri.

Lav modstand ved tændt

Højeffekts lille hus

Blyfri blybelægning

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.