ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SMM1006, RA1C030LD
- RS-varenummer:
- 265-5427
- Producentens varenummer:
- RA1C030LDT5CL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 60,60
(ekskl. moms)
Kr. 75,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 19.925 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 975 | Kr. 2,424 | Kr. 60,60 |
| 1000 - 1975 | Kr. 1,541 | Kr. 38,53 |
| 2000 - 4975 | Kr. 1,493 | Kr. 37,33 |
| 5000 - 9975 | Kr. 1,457 | Kr. 36,43 |
| 10000 + | Kr. 1,424 | Kr. 35,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-5427
- Producentens varenummer:
- RA1C030LDT5CL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | RA1C030LD | |
| Emballagetype | SMM1006 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie RA1C030LD | ||
Emballagetype SMM1006 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET'er med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser. Den er monteret på et Cu-kort, og den er halogenfri.
Lav modstand ved tændt
Højeffekts lille hus
Blyfri blybelægning
Halogenfri