ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SMM1006, RA1C030LD

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 65,525

(ekskl. moms)

Kr. 81,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 19.925 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 975Kr. 2,621Kr. 65,53
1000 - 1975Kr. 1,666Kr. 41,65
2000 - 4975Kr. 1,616Kr. 40,40
5000 - 9975Kr. 1,577Kr. 39,43
10000 +Kr. 1,541Kr. 38,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-5427
Producentens varenummer:
RA1C030LDT5CL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SMM1006

Serie

RA1C030LD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

+7 to -0.2 V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

Pb-free lead plating, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

ROHM MOSFET'er med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser. Den er monteret på et Cu-kort, og den er halogenfri.

Lav modstand ved tændt

Højeffekts lille hus

Blyfri blybelægning

Halogenfri

Relaterede links

Recently viewed