ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SMM1006, RA1C030LD

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 1000 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 1.541,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.926,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 19.925 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
1000 - 1975Kr. 1,541
2000 - 4975Kr. 1,493
5000 - 9975Kr. 1,457
10000 +Kr. 1,424

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-5427P
Producentens varenummer:
RA1C030LDT5CL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

RA1C030LD

Emballagetype

SMM1006

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

140mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.5nC

Portkildespænding maks.

-0.2, 7V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

Pb-free lead plating, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

ROHM MOSFET'er med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser. Den er monteret på et Cu-kort, og den er halogenfri.

Lav modstand ved tændt

Højeffekts lille hus

Blyfri blybelægning

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.