ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247 Nej

ROHM MOSFET er en SiC MOSFET med en trench-gate-struktur optimeret til en række anvendelser, herunder serverstrømforsyninger, solcelleinvertere, switch-mode strømforsyninger, motordrev, induktionsopvarmning og EV-ladestationer, der kræver høj effektivitet. Der anvendes et nyt 4-benet hus, der adskiller strøm- og driverkildeterminaler, hvilket gør det muligt at maksimere højhastigheds-switching-ydeevnen. Dette forbedrer især tænd/sluk-tab, og som følge heraf kan det samlede tænd/sluk-tab reduceres med op til 35 % sammenlignet med det konventionelle 3-benede hus.

Lav modstand ved tændt