Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, SIHG Nej SIHG150N60E-GE3
- RS-varenummer:
- 268-8299
- Producentens varenummer:
- SIHG150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 83,93
(ekskl. moms)
Kr. 104,912
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 41,965 | Kr. 83,93 |
| 10 - 98 | Kr. 37,70 | Kr. 75,40 |
| 100 - 498 | Kr. 30,93 | Kr. 61,86 |
| 500 - 998 | Kr. 26,33 | Kr. 52,66 |
| 1000 + | Kr. 23,71 | Kr. 47,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8299
- Producentens varenummer:
- SIHG150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.158Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.158Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay E-serien af effekt-MOSFET'er, der har reduceret skifte- og ledningstab, og den anvendes i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger.
Lav effektiv kapacitet
Nominel lavineenergi
Lavt tal for fortjeneste
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 22 A 650 V TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V TO-247AC, E Series SiHG080N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 22 A 650 V TO-220AB SIHP150N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 95 A 600 V, TO-247AC SIHG026N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 20 A 850 V, TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 61 A 600 V TO-247AC SIHG039N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V TO-247AC SIHG155N60EF-GE3
