Vishay N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, SIHG
- RS-varenummer:
- 268-8299
- Producentens varenummer:
- SIHG150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 268-8299
- Producentens varenummer:
- SIHG150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.158Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.158Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHG seriens MOSFET, 650 V maksimal drain source-spænding, 22 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHG150N60E-GE3
Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med højspændingsforstærkning, der er designet til strømswitching i krævende elektronisk udstyr. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og leveres i en pakke med gennemgående huller, der er velegnet til robust montering og servicevenlige enheder. RoHS-overensstemmelse understøtter dens brug, hvor der gælder krav til begrænsede stoffer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 22 A kontinuerlig strøm understøtter betydelig belastningshåndtering
• 0.158 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 36 nC typisk gate-ladning optimerer koblingsdynamikken
• 179 W maks. effekttab muliggør høj effekt
• 30 V gate-tolerance passer til almindelige driver-spændinger
• 22 A kontinuerlig strøm understøtter betydelig belastningshåndtering
• 0.158 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 36 nC typisk gate-ladning optimerer koblingsdynamikken
• 179 W maks. effekttab muliggør høj effekt
• 30 V gate-tolerance passer til almindelige driver-spændinger
Anvendelser
• Velegnet til industrielle højspændingsomformere og invertere
• Ideel til motordrevstrin i styringssystemer
• Anvendes sammen med trykluftkølede strømforsyninger og regulatorer
• Kan bruges til UPS- og energilagrings-switching-systemer
• Velegnet til prototyping med gennemgående huller og reparerbare enheder
• Ideel til motordrevstrin i styringssystemer
• Anvendes sammen med trykluftkølede strømforsyninger og regulatorer
• Kan bruges til UPS- og energilagrings-switching-systemer
• Velegnet til prototyping med gennemgående huller og reparerbare enheder
Hvilken hustype skal jeg tillade, når jeg designer et kort?
Den leveres i en TO-247AC-pakke med gennemgående hul, der kræver et kompatibelt monteringsfodaftryk og mulighed for kølelegeme til styring af termiske belastninger.
Hvordan påvirker temperaturen grænserne for kontinuerlig drift?
Enheden er klassificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, så der bør anvendes termiske styrings- og nedjusteringsstrategier ved høje samlingstemperaturer for at opretholde pålideligheden.
Hvilke hensyn til gate-drev anbefales for effektiv omskiftning?
Med en typisk gate-opladning på 36 nC og en maksimal Vgs på 30 V skal du vælge en driver, der kan levere den påkrævede opladning hurtigt, uden at overskride gate-spændingsgrænsen.
Hvilken diodeadfærd skal forventes under synkron omskiftning?
Det iboende fremadgående element udviser ca. 1,2 V fremadgående spænding, hvilket påvirker ledningstab, når husdioden leder under omvendte gendannelseshændelser.