Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, SIHG
- RS-varenummer:
- 268-8299
- Producentens varenummer:
- SIHG150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 77,27
(ekskl. moms)
Kr. 96,588
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 38,635 | Kr. 77,27 |
| 10 - 98 | Kr. 34,745 | Kr. 69,49 |
| 100 - 498 | Kr. 28,46 | Kr. 56,92 |
| 500 - 998 | Kr. 24,275 | Kr. 48,55 |
| 1000 + | Kr. 21,805 | Kr. 43,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8299
- Producentens varenummer:
- SIHG150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.158Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.158Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHG seriens MOSFET, 650 V drain-source spænding, 22 A kontinuerlig drain-strøm - SIHG150N60E-GE3
Denne N-kanal MOSFET er designet til at skifte og styre højspændingseffekt i industriel elektronik og automatiseringsudstyr. Den fungerer som en forstærkningstransistor til brug i diskrete effekttrin, hvor der kræves høj blokeringsspænding og betydelig strømkapacitet. Enheden leveres i en TO-247AC-pakke med gennemgående hul, der er velegnet til konventionel montering og varmeafledende arrangementer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 22 A kontinuerlig strøm understøtter betydelig belastningshåndtering • 0,158 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab • 179 W effekttab muliggør robust termisk gennemgang • 36 nC typisk gate-ladning for forudsigelig skifteadfærd • 30 V gate-tolerance passer til almindelige driftsspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere i industrielle systemer • Ideel til switch-mode strømforsyninger i produktionsudstyr • Anvendes til motordrevstrin, der kræver højspænding • Kan bruges til strømkonvertering på linjesiden i automatiseringsrack • Anvendes til udvikling og test af laboratorieelektronik
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Enheden fungerer over et bredt omgivende område fra -55 °C op til en maksimal samlegrænse på 150 °C til krævende termiske miljøer.
Hvordan monteres den bedst til varmestyring?
Formatet med gennemgående hul TO-247AC muliggør direkte fastgørelse til køleelementer ved hjælp af pakkefanen og standardmonteringshardware for at forbedre termisk overførsel.
Hvilke overvejelser om gate-driver skal overholdes?
Porten skal drives inden for ±30 V absolutte grænser, og koblingskurveformer skal tage hensyn til den typiske 36 nC portladning for at håndtere overgangstab og driverstørrelse.
Hvilken benkonfiguration medfølger?
Det er et 3-benet transistorlayout, der er kompatibelt med almindelige strømprintkortfodaftryk og monteringsprocesser med gennemgående huller.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247AC, SIHG
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247AC, SIHG
- Vishay Type N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-247AC, SIHG
- Vishay N-kanal-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247AC, SF Series
- Vishay N-kanal-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-247AC, SF Series
- Vishay N-kanal-Kanal 88 A 650 V Forbedring TO-247AC, E Series
- Vishay N-kanal-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-247AC, E Series
- Vishay N-kanal-Kanal 74 A 650 V Forbedring TO-247AC, SF Series
